<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<!DOCTYPE article PUBLIC "-//NLM//DTD JATS (Z39.96) Journal Archiving and Interchange DTD with OASIS Tables with MathML3 v1.4 20241031//EN" "https://jats.nlm.nih.gov/archiving/1.4/JATS-archive-oasis-article1-4-mathml3.dtd">
<article xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:ali="http://www.niso.org/schemas/ali/1.0/" dtd-version="1.4" article-type="research-article" xml:lang="en"><front><journal-meta><journal-title-group><journal-title xml:lang="ru">Успехи кибернетики</journal-title></journal-title-group><issn publication-format="electronic">2712-9942</issn></journal-meta><article-meta><article-categories><subj-group><subject>Other</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title xml:lang="ru">Исследование согласования GaAs кристалла усилителя мощности СВЧ-диапазона с керамическим корпусом QFN</article-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>Impedance Matching of a GaAs Microwave Power Amplifier Die to a Ceramic QFN Package</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author"><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Шеденко</surname><given-names>В. В.</given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Shedenko</surname><given-names>V. V.</given-names></name></name-alternatives><xref ref-type="aff" rid="aff1"/><xref ref-type="aff" rid="aff2"/><email>ShedenkoVV@mail.ru</email><contrib-id contrib-id-type="orcid">https://orcid.org/0009-0007-2833-6277</contrib-id></contrib><contrib contrib-type="author"><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Увайсов</surname><given-names>С. У.</given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Uvaysov</surname><given-names>S. U.</given-names></name></name-alternatives><xref ref-type="aff" rid="aff1"/><xref ref-type="aff" rid="aff2"/><email>uvajsov@mirea.ru</email><contrib-id contrib-id-type="orcid">https://orcid.org/0000-0003-1943-6819</contrib-id></contrib><contrib contrib-type="author"><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Иванов</surname><given-names>В. С.</given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Ivanov</surname><given-names>V. S.</given-names></name></name-alternatives><xref ref-type="aff" rid="aff1"/><xref ref-type="aff" rid="aff2"/><email>ivanov_vs@mirea.ru</email><contrib-id contrib-id-type="orcid">https://orcid.org/0000-0001-9827-1690</contrib-id></contrib><contrib contrib-type="author"><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Христюк</surname><given-names>М. С.</given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Hristyuk</surname><given-names>M. S.</given-names></name></name-alternatives><xref ref-type="aff" rid="aff1"/><xref ref-type="aff" rid="aff2"/><email>khristuk.n15@gmail.com</email><contrib-id contrib-id-type="orcid">https://orcid.org/0009-0005-7721-3631</contrib-id></contrib><aff-alternatives id="aff1"><aff><institution xml:lang="en">MIREA – Russian Technological University</institution><city xml:lang="en">Moscow</city><country xml:lang="en">Russian Federation</country></aff></aff-alternatives><aff-alternatives id="aff2"><aff><institution xml:lang="ru">МИРЭА — Российский технологический университет</institution><city xml:lang="ru">Москва</city><country xml:lang="ru">Российская Федерация</country></aff></aff-alternatives></contrib-group><pub-date pub-type="epub" iso-8601-date="2026-06-30"><day>30</day><month>06</month><year>2026</year></pub-date><volume>7</volume><issue>2</issue><fpage>84</fpage><lpage>93</lpage><history><date date-type="received" iso-8601-date="2026-05-11"><day>11</day><month>05</month><year>2026</year></date><date date-type="accepted" iso-8601-date="2026-05-20"><day>20</day><month>05</month><year>2026</year></date></history><self-uri xlink:href="https://ru.jcyb.ru/nisii_tech/article/view/505" xlink:title="https://ru.jcyb.ru/nisii_tech/article/view/505">https://ru.jcyb.ru/nisii_tech/article/view/505</self-uri><self-uri content-type="pdf" xlink:href="publication-92f86c0d-938c-43df-8e4d-57bcb90d83f2.pdf" xlink:title="PDF"/><abstract xml:lang="ru"><p>в статье исследовано согласование GaAs СВЧ-усилителя мощности с керамическим корпусом типа QFN. Показано, что исходная конфигурация корпуса не обеспечивает требуемого согласования вследствие влияния паразитных параметров выводов, межсоединений и центральной заземляющей площадки.Исследование основано на электромагнитном моделировании структуры «кристалл — корпус» и анализе S-параметров. Проведена модификация геометрии корпуса, включающая изменение конфигурации заземляющей площадки, сигнальных выводов и соединительных проводников. Показано, что формирование многозвенной реактивной структуры позволяет улучшить согласование и снизить влияние паразитных параметров без применения дополнительных внешних согласующих цепей.</p></abstract><abstract xml:lang="en" abstract-type="summary"><p>we studied impedance matching between a GaAs microwave power amplifier and a ceramic QFN package. We showed that the initial package configuration does not provide adequate impedance matching due to parasitic effects from the package leads, bond wires, and the central ground pad. We based the analysis on electromagnetic simulations of the die–package structure and S-parameter evaluation. We then modified the package geometry by adjusting the ground pad layout, signal leads, and bond-wire interconnects. We showed that introducing a multistage reactive structure improves impedance matching and reduces the influence of parasitic elements without the need for external matching circuits.</p></abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>усилитель мощности</kwd><kwd>СВЧ-диапазон</kwd><kwd>арсенид галлия</kwd><kwd>корпус QFN</kwd><kwd>согласование импеданса</kwd><kwd>паразитные параметры</kwd><kwd>S-параметры</kwd></kwd-group><kwd-group xml:lang="en"><kwd>power amplifier</kwd><kwd>microwave frequency range</kwd><kwd>gallium arsenide</kwd><kwd>QFN package</kwd><kwd>impedance matching</kwd><kwd>parasitic parameters</kwd><kwd>S-parameters</kwd></kwd-group></article-meta></front><back><ref-list><ref id="ref1"><mixed-citation publication-type="other" xml:lang="ru">Lai Y. L., Ho C. Y. Electrical Modeling of Quad Flat No-Lead Packages for HighFrequency IC Applications. 2004 IEEE Region 10 Conference TENCON. 2004;4:344–347. DOI: 10.1109/TENCON.2004.1414940.</mixed-citation></ref><ref id="ref2"><mixed-citation publication-type="other" xml:lang="ru">Lu A. C. W., Xie D. J., Shi Z. F., Ryu W. Electrical and Thermal Modelling of QFN Packages. Proceedings of 3rd Electronics Packaging Technology Conference (EPTC 2000). 2000:352–356. DOI: 10.1109/EPTC.2000.906399.</mixed-citation></ref><ref id="ref3"><mixed-citation publication-type="other" xml:lang="ru">Гагарина Л. Г., Рубцов Ю. В. Особенности разработки метода классификации плоских QFN корпусов для применения в составе автоматизированных систем технической подготовки производства изделий микроэлектроники. Известия вузов. Электроника. 2022;27(3):322–332. DOI: 10.24151/1561-5405-2022-27-3-322-332.</mixed-citation></ref><ref id="ref4"><mixed-citation publication-type="other" xml:lang="ru">Степанов В. И., Метель А. А., Сальников А. С., Добуш И. М., Калентьев А. А. Методика моделирования QFN корпусов и ее верификация. Проблемы развития перспективных микрои наноэлектронных систем. 2022;3:74–81. DOI: 10.31114/2078-7707-2022-3-74-81.</mixed-citation></ref><ref id="ref5"><mixed-citation publication-type="other" xml:lang="ru">Ищенко Е. А., Пастернак Ю. Г., Пендюрин В. А., Проскурин Д. К., Федоров С. М. Применение эквивалентных схем PIN-диодов и МЭМС-ключей в задачах электродинамического моделирования. Труды учебных заведений связи. 2023;9(4):21–33. DOI: 10.31854/1813-324X-2023-9-4-21-33.</mixed-citation></ref><ref id="ref6"><mixed-citation publication-type="other" xml:lang="ru">Sun H., Zhu B., Sun L., Li H., Yang L. EMC Computer Modelling and Simulation of Integrated Circuits in QFN Package. Progress in Electromagnetics Research M. 2013;33:263–275. DOI: 10.2528/PIERM13082802.</mixed-citation></ref><ref id="ref7"><mixed-citation publication-type="other" xml:lang="ru">Singh S., Chawla P. Broadband Impedance Matching Network Design for RF Power Amplifier in 5G Frequency Band. 2021 2nd International Conference for Emerging Technology (INCET). 2021:1–4. DOI: 10.1109/INCET51464.2021.9456168.</mixed-citation></ref><ref id="ref8"><mixed-citation publication-type="other" xml:lang="ru">Битюков В. К., Долматов А. В., Задерновский А. А., Стариковский А. И., Увайсов Р. М. Расчет допустимых отклонений виброускорений печатных узлов методом имитационного моделирования. Russian Technological Journal. 2023;11(6):28–38. DOI: https://doi.org/10.32362/2500-316X-2023-11-6-28-38.</mixed-citation></ref></ref-list></back></article>
